Tantalo karbidu padengtas dangtelis

„VeTek Semiconductor“ yra pirmaujanti tantalo karbidu dengtų dangčių gamintoja ir novatorius Kinijoje. Daugelį metų specializuojamės taC ir SiC dangų gamyboje. Mūsų gaminiai pasižymi atsparumu korozijai ir dideliu stiprumu. Mes tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

„VeTek Semiconductor“ rasite didžiulį tantalo karbidu dengtų dangčių iš Kinijos pasirinkimą. Teikti profesionalų aptarnavimą po pardavimo ir tinkamą kainą, tikimės bendradarbiavimo. VeTek Semiconductor sukurtas tantalo karbidu padengtas dangtelis yra priedas, specialiai sukurtas AIXTRON G10 MOCVD sistemai, skirtas optimizuoti efektyvumą ir pagerinti puslaidininkių gamybos kokybę. Jis yra kruopščiai pagamintas naudojant aukštos kokybės medžiagas ir pagamintas itin tiksliai, užtikrinant išskirtinį našumą ir patikimumą metalo organinio cheminio nusodinimo garais (MOCVD) procesams.

Pagaminta iš grafito pagrindo, padengto cheminiu garų nusodinimu (CVD) tantalo karbidu (TaC), tantalo karbidu padengtas dangtis pasižymi išskirtiniu terminiu stabilumu, dideliu grynumu ir atsparumu aukštesnėms temperatūroms. Šis unikalus medžiagų derinys yra patikimas sprendimas sudėtingoms MOCVD sistemos eksploatavimo sąlygoms.

Tantalo karbidu padengtą dangtelį galima pritaikyti įvairiems puslaidininkinių plokštelių dydžiams, todėl jis tinka įvairiems gamybos reikalavimams. Jo tvirta konstrukcija yra specialiai sukurta taip, kad atlaikytų sudėtingą MOCVD aplinką, užtikrinant ilgalaikį veikimą ir sumažinant prastovų bei priežiūros išlaidas, susijusias su plokštelių laikikliais ir susceptoriais.

Įtraukę TaC dangtelį į AIXTRON G10 MOCVD sistemą, puslaidininkių gamintojai gali pasiekti didesnį efektyvumą ir geresnių rezultatų. Dėl išskirtinio terminio stabilumo, suderinamumo su skirtingų dydžių plokštelėmis ir patikimu Planetary Disk veikimu jis yra nepakeičiamas įrankis optimizuojant gamybos efektyvumą ir siekiant išskirtinių rezultatų MOCVD procese.

Tantalo karbidu padengto dangčio gaminio parametras

TaC dangos fizinės savybės
Tankis	14,3 (g/cm³)
Savitoji spinduliuotė	0.3
Šiluminio plėtimosi koeficientas	6.3 10-6/K
Kietumas (HK)	2000 HK
Atsparumas	1×10-5 Ohm*cm
Terminis stabilumas	<2500 ℃
Keičiasi grafito dydis	-10-20um
Dangos storis	≥20um tipinė vertė (35um±10um)