Kieto SiC plokštelių laikiklis

VeTek Semiconductor kieto SiC plokštelių laikiklis yra skirtas aukštai temperatūrai ir korozijai atsparioje aplinkoje puslaidininkių epitaksiniuose procesuose ir tinka visų tipų plokštelių gamybos procesams, kuriems taikomi aukšti grynumo reikalavimai. „VeTek Semiconductor“ yra pirmaujanti plokštelių laikiklių tiekėja Kinijoje ir tikisi tapti jūsų ilgalaikiu partneriu puslaidininkių pramonėje.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Kietasis SiC plokštelių laikiklis yra komponentas, pagamintas aukštai temperatūrai, aukštam slėgiui ir korozinei puslaidininkinio epitaksinio proceso aplinkai ir tinka įvairiems plokštelių gamybos procesams, kuriems taikomi aukšti grynumo reikalavimai.

Kietas SiC plokštelių laikiklis padengia plokštelės kraštą, apsaugo plokštelę ir tiksliai ją pozicionuoja, užtikrindamas kokybiškų epitaksinių sluoksnių augimą. Dėl puikaus terminio stabilumo, atsparumo korozijai ir išskirtinio šilumos laidumo SiC medžiagos yra plačiai naudojamos tokiuose procesuose kaip skystosios fazės epitaksija (LPE), cheminis nusodinimas garais (CVD) ir metalo organinis nusodinimas garais (MOCVD). „VeTek Semiconductor“ kieto SiC plokštelių laikiklis buvo patikrintas įvairiose atšiauriose aplinkose ir gali veiksmingai užtikrinti plokštelės epitaksinio augimo proceso stabilumą ir efektyvumą.

Vapor-phase epitaxial growth method

Kieto SiC plokštelių laikiklisProdukto savybės

● Itin aukštos temperatūros stabilumas: Kieto SiC plokštelių laikikliai gali išlikti stabilūs iki 1500°C temperatūroje ir nėra linkę deformuotis ar įtrūkti.

● Puikus atsparumas cheminei korozijai: Naudojant didelio grynumo silicio karbido medžiagas, jis gali atsispirti korozijai nuo įvairių cheminių medžiagų, įskaitant stiprias rūgštis, stiprius šarmus ir ėsdinančias dujas, todėl pailgėja plokštelių laikiklio tarnavimo laikas.

● Aukštas šilumos laidumas: Kietojo SiC plokštelių nešikliai pasižymi puikiu šilumos laidumu ir gali greitai ir tolygiai paskirstyti šilumą proceso metu, padeda išlaikyti plokštelės temperatūros stabilumą ir pagerinti epitaksinio sluoksnio vienodumą bei kokybę.

● Mažai dalelių susidarymo: SiC medžiagos pasižymi natūraliomis mažai dalelių susidarymo savybėmis, kurios sumažina užteršimo riziką ir gali atitikti griežtus puslaidininkių pramonės aukšto grynumo reikalavimus.

Techninės specifikacijos:

Parametras	Aprašymas
Medžiaga	Didelio grynumo kietas silicio karbidas
Taikomas vaflių dydis	4 colių, 6 colių, 8 colių, 12 colių (pritaikoma)
Maksimali temperatūros tolerancija	Iki 1500°C
Cheminis atsparumas	Atsparumas rūgštims ir šarmams, atsparumas fluorido korozijai
Šilumos laidumas	250 W/(m·K)
Dalelių susidarymo greitis	Itin mažas dalelių generavimas, tinka aukštiems grynumo reikalavimams
Tinkinimo parinktys	Dydis, forma ir kiti techniniai parametrai gali būti pritaikyti pagal poreikį

Kodėl rinktis„VeTek“ puslaidininkiskieto SiC plokštelės substrato nešiklio žiedas?

● Patikimumas: Po kruopštaus bandymo ir faktinio galutinių klientų patikrinimo, jis gali suteikti ilgalaikę ir stabilią pagalbą ekstremaliomis sąlygomis ir sumažinti proceso pertraukimo riziką.

● Aukštos kokybės medžiagos: Pagaminta iš aukščiausios kokybės SiC medžiagų, užtikrinkite, kad kiekvienas kieto SiC plokštelių laikiklis atitiktų aukštus pramonės standartus.

● Tinkinimo paslauga: palaiko kelių specifikacijų ir techninių reikalavimų pritaikymą, kad atitiktų konkrečius proceso poreikius.

Jei jums reikia daugiau informacijos apie produktą arba pateikti užsakymą, susisiekite su mumis. Suteiksime profesionalias konsultacijas ir sprendimus, atsižvelgdami į jūsų konkrečius poreikius, padėsiančius pagerinti gamybos efektyvumą ir sumažinti priežiūros išlaidas.