SiC padengtas vaflių laikiklis

„VeTek Semiconductor“ SiC padengtas plokštelių laikiklis paprastai naudojamas plokštelėms pritvirtinti ir palaikyti puslaidininkių apdorojimo metu. Tai didelio našumovaflių laikiklisplačiai naudojamas puslaidininkių gamyboje. Padengiant silicio karbido (SiC) sluoksnį ant paviršiaussubstratas, produktas gali veiksmingai užkirsti kelią substratui nuo korozijos ir pagerinti plokštelių laikiklio atsparumą korozijai ir mechaninį stiprumą, užtikrindamas apdorojimo proceso stabilumo ir tikslumo reikalavimus.

SiC padengtas plokštelių laikiklisdažniausiai naudojamas plokštelėms pritvirtinti ir palaikyti puslaidininkių apdorojimo metu. Tai didelio našumo plokštelių laikiklis, plačiai naudojamas puslaidininkių gamyboje. Padengiant sluoksnįsilicio karbidas (SiC)ant pagrindo paviršiaus produktas gali veiksmingai užkirsti kelią substratui nuo korozijos ir pagerinti plokštelių laikiklio atsparumą korozijai ir mechaninį stiprumą, užtikrindamas apdorojimo proceso stabilumo ir tikslumo reikalavimus.

Silicio karbido (SiC) lydymosi temperatūra yra apie 2730 °C, o jo puikus šilumos laidumas yra apie 120–180 W/m·K. Ši savybė gali greitai išsklaidyti šilumą aukštos temperatūros procesuose ir užkirsti kelią perkaitimui tarp plokštelės ir laikiklio. Todėl SiC Coated Wafer Holder kaip pagrindą dažniausiai naudoja silicio karbidu (SiC) padengtą grafitą.

Kartu su itin dideliu SiC kietumu (Vickers kietumas apie 2500 HV), CVD proceso metu nusodinta silicio karbido (SiC) danga gali sudaryti tankią ir stiprią apsauginę dangą, kuri labai pagerina SiC padengto plokštelių laikiklio atsparumą dilimui. .

„VeTek Semiconductor“ SiC padengtas plokštelių laikiklis pagamintas iš SiC padengto grafito ir yra nepakeičiamas pagrindinis komponentas šiuolaikiniuose puslaidininkių epitaksijos procesuose. Jis sumaniai sujungia puikų grafito šilumos laidumą (šilumos laidumas yra apie 100-400 W/m·K kambario temperatūroje) ir mechaninį stiprumą bei puikų silicio karbido atsparumą cheminei korozijai ir terminį stabilumą (SiC lydymosi temperatūra yra apie 2730°C), puikiai atitinkantys griežtus šiandienos aukščiausios klasės puslaidininkių gamybos aplinkos reikalavimus.

Šis vieno plokštelės dizaino laikiklis gali tiksliai valdytiepitaksinis procesasparametrų, o tai padeda pagaminti kokybiškus, didelio našumo puslaidininkinius įtaisus. Unikali konstrukcinė konstrukcija užtikrina, kad plokštelė būtų tvarkoma itin atsargiai ir tiksliai viso proceso metu, taip užtikrinant puikią epitaksinio sluoksnio kokybę ir pagerinant galutinio puslaidininkinio gaminio veikimą.

Kaip Kinijos lyderėPadengtas SiC„Wafer Holder“ gamintojas ir lyderis „VeTek Semiconductor“ gali teikti pritaikytus produktus ir technines paslaugas pagal jūsų įrangos ir proceso reikalavimus.Mes nuoširdžiai tikimės būti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

Pagrindinės fizinės CVD SiC dangos savybės:

„VeTek“ puslaidininkių SiC dengtų plokštelių laikiklių gamybos parduotuvės：