Kas yra CVD TAC danga?

Kaip visi žinome,TaCturi iki 3880°C lydymosi temperatūrą, didelį mechaninį stiprumą, kietumą, atsparumą šiluminiam smūgiui; geras cheminis inertiškumas ir terminis stabilumas amoniakui, vandeniliui, silicio turintiems garams aukštoje temperatūroje.

CVD TAC danga, cheminis nusodinimas garais (CVD) oftantalo karbido (TaC) danga, yra didelio tankio ir patvarios dangos formavimo procesas ant pagrindo (dažniausiai grafito). Šis metodas apima TaC nusodinimą ant pagrindo paviršiaus aukštoje temperatūroje, todėl gaunama danga, pasižyminti puikiu terminiu stabilumu ir cheminiu atsparumu.

Pagrindiniai CVD TaC dangų pranašumai yra šie:

Itin didelis terminis stabilumas: gali atlaikyti aukštesnę nei 2200°C temperatūrą.

Cheminis atsparumas: gali veiksmingai atsispirti stiprioms cheminėms medžiagoms, tokioms kaip vandenilis, amoniakas ir silicio garai.

Stiprus sukibimas: užtikrina ilgalaikę apsaugą be delaminacijos.

Didelis grynumas: sumažina priemaišas, todėl puikiai tinka puslaidininkiams.

Šios dangos ypač tinka aplinkoje, kuriai reikalingas didelis patvarumas ir atsparumas ekstremalioms sąlygoms, pavyzdžiui, puslaidininkių gamyba ir aukštos temperatūros pramoniniai procesai.

Pramoninėje gamyboje grafito (anglies-anglies kompozito) medžiagos, padengtos TaC danga, labai tikėtina, kad pakeis tradicinį didelio grynumo grafitą, pBN dangą, SiC dangos dalis ir kt. Be to, aviacijos ir kosmoso srityje TaC turi didelį potencialą gali būti naudojama kaip aukštos temperatūros antioksidacinė ir antiabliacinė danga ir turi plačias taikymo perspektyvas. Tačiau vis dar yra daug iššūkių, norint paruošti tankią, vienodą, nesisluoksniuojančią TaC dangą ant grafito paviršiaus ir skatinti pramoninę masinę gamybą.

Šiame procese trečiosios kartos puslaidininkių kristalų augimui ir epitaksijai labai svarbu ištirti dangos apsaugos mechanizmą, naujoves gamybos procese ir konkuruoti su aukščiausiu užsienio lygiu.